型号: FD400R33KF2C-K
功能描述: IGBT 模块 N-CH 3.3KV 660A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
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产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 3300 V
在25 C的连续集电极电流: 660 A
封装 / 箱体: IHV130
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 140 mm
宽度: 130 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
零件号别名: FD400R33KF2CKNOSA1 SP000100626
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