型号: FD600R12IP4D
功能描述: IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
制造商: Infineon Technologies
产品： IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 2.05 V
在25 C的连续集电极电流： 600 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 3.35 kW
最大工作温度： + 150 C
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
工厂包装数量： 3
ROHS： 无铅
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