型号:  FDA38N30

功能描述:  MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-3PN-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  300 V

Id-连续漏极电流:  38 A

Rds On-漏源导通电阻:  70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  60 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 125 C

Pd-功率耗散:  312 W

配置:  Single

商标名:  UniFET

封装:  Tube

高度:  20.1 mm

长度:  16.2 mm

系列:  FDA38N30

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  6.3 S

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  450

子类别:  MOSFETs

单位重量:  6.401 g