型号: FDAF75N28
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 280V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 144nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6700pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 215W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 41 毫欧 @ 23A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3PF
封装/外壳： SC-94
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：徐吉刚
电话：13426409278
Q Q:
联系人：丁小伟
电话：021-56333185
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13267216796
Q Q:
