型号: FDB035AN06A0_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0032 Ohms at 10 V
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 13 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 310 W
上升时间: 93 ns
典型关闭延迟时间: 38 ns
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：kimmy
电话：18675559598
Q Q:
联系人：李练武
电话：18218418913
Q Q:
联系人：曹，林
电话：13352984345
Q Q:
