型号: FDB14AN06LA0_F085
功能描述:
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列： 汽车级，AEC-Q101，PowerTrench®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 67A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 31nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2900pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 11.6 毫欧 @ 67A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： D2PAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 10A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郭
电话：13590239548
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13590379292
Q Q:
联系人：蔡先生
Q Q:
