型号: FDB2552F085
功能描述: MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 37 A
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Rds On-漏源导通电阻: 97 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 29 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 29 ns
系列: FDB2552
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 1.312 g
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：郭智贤
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联系人：周
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联系人：叶小姐
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联系人：夏
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Q Q:
