型号:  FDB3652-F085

功能描述:  MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  61 A

Rds On-漏源导通电阻:  16 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  150 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  PowerTrench

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.83 mm

长度:  10.67 mm

系列:  FDB3652_F085

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Power Trench MOSFET

宽度:  9.65 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  45 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  85 ns

工厂包装数量:  800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  26 ns

典型接通延迟时间:  12 ns

零件号别名:  FDB3652_F085

单位重量:  1.312 g