型号: FDB6021P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 28 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.03 Ohms at - 4.5 V
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263
封装: Reel
下降时间: 50 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 33 S
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 37 W
上升时间: 10 ns
典型关闭延迟时间: 80 ns
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