型号: FDB6676S_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 16 V
漏极连续电流: 76 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.006 Ohms at 10 V
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263AB
封装: Reel
下降时间: 31 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 70 W
上升时间: 11 ns
典型关闭延迟时间: 89 ns
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