型号:  FDB8445_F085

功能描述:  Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8445_F085, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Fairchild Semiconductor

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  70 A

最大漏源电压：  40 V

最大漏源电阻值：  0.0172 0hms

最小栅阈值电压：  2.5V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

安装类型：  表面贴装

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  92 W

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -55 °C

尺寸：  10.67 x 9.65 x 4.83mm

系列：  PowerTrench

长度：  10.67mm

晶体管材料：  Si

高度：  4.83mm

典型输入电容值@Vds：  2860 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：  36 ns

典型接通延迟时间：  10 ns

宽度：  9.65mm

最高工作温度：  +175 °C

典型栅极电荷@Vgs：  44 nC @ 10 V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs