型号: FDB86366_F085
功能描述: MOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 110 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 176 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-263-3
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 17 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 76 ns
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 1.31 00001B4F 2 g
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