型号: FDC5661N_F085
功能描述: Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC5661N_F085, 4 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
制造商: Fairchild Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 4 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 86 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOT-23
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 6
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.6 W
高度： 1mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 3 x 1.7 x 1mm
宽度： 1.7mm
系列： PowerTrench
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 14.5 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 763 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 19.3 ns
典型接通延迟时间： 7.2 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 3mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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