型号: FDC6322C_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: +/- 25 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: + 0.22 A, - 0.46 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 5 Ohms / 1.5 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
封装: Reel
下降时间: 4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.9 W
上升时间: 4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
典型关闭延迟时间: 4 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：小林
电话：15820798353
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：马添耿
Q Q:
联系人：张瑞
电话：010-60256869
Q Q:
联系人：Tracy
电话：18915480919
Q Q:
