型号: FDC636P_F095
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 2.8 A
配置: Single Quad Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SuperSOT-6
封装: Reel
下降时间: 26 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1600 mW
上升时间: 26 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 8 ns
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：18273576079
Q Q:
联系人：惠
Q Q:
联系人：汤月凤，邱苏芬
电话：13924654970
Q Q:
