型号: FDC636P_F095
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 2.8 A
配置: Single Quad Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SuperSOT-6
封装: Reel
下降时间: 26 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1600 mW
上升时间: 26 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 8 ns
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