型号: FDC6401N_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: 3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.07 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
封装: Reel
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.96 W
上升时间: 7 ns
典型关闭延迟时间: 13 ns
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
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电话：15921761256
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
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联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：吴柔
电话：18177911802
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联系人：chen
Q Q:
联系人：姚小姐
电话：14774935925
Q Q:
