型号: FDC6506P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: - 1.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.170 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
封装: Reel
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.96 W
上升时间: 8 ns
典型关闭延迟时间: 14 ns
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：唐波
电话：13826198248
Q Q:
联系人：曹泷
电话：18127050390
Q Q:
联系人：彭
Q Q:
