型号: FDC699P_F077
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 38nC @ 5V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2640pF @ 10V
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 22 毫欧 @ 7A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: SuperSOT™-6 FLMP
封装/外壳: 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
联系人:罗先生
电话:19854773352
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:王小姐,刘先生
电话:19147724283
联系人:朱先生
联系人:肖先生
电话:13640908856
联系人:范妍菲
电话:18928456050