型号: FDC855N/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin SuperSOT T/R
制造商: fairchild semiconductor
包装： 6SuperSOT
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 30 V
最大连续漏极电流： 6.1 A
RDS -于： 27@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 6 ns
典型上升时间： 2 ns
典型关闭延迟时间： 14 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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