型号: FDD10N20LZTM
功能描述: MOSFET 200V N-Channel MOSFET, UniFET
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 7.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Qg-栅极电荷: 12 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 56 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
系列: FDD10N20LZ
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 8 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 260.370 mg
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