型号:  FDD2572_F085

功能描述:  Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD2572_F085, 29 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Fairchild Semiconductor

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  29 A

最大漏源电压：  150 V

最大漏源电阻值：  146 m0hms

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

安装类型：  表面贴装

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  135 W

典型接通延迟时间：  11 ns

典型关断延迟时间：  31 ns

典型输入电容值@Vds：  1770 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs：  26 nC @ 10 V

晶体管材料：  Si

系列：  PowerTrench

宽度：  6.22mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

长度：  6.73mm

高度：  2.39mm

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.39mm

每片芯片元件数目：  1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs