型号: FDD45AN06LA0_F085
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.2A（Ta），25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 11nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 880pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 55W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 36 毫欧 @ 25A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252AA
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：13662622177
Q Q:
联系人：李旭uqan
电话：13480337336
Q Q:
联系人：陈小姐,李小姐,林先生
电话：13543259139
Q Q:
