型号:  FDD6030L

功能描述:  MOSFET 30V N-Channel Power Trench

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  50 A

Rds On-漏源导通电阻:  7.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  28 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  56 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  PowerTrench

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.39 mm

长度:  6.73 mm

系列:  FDD6030L

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  6.22 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  47 S

下降时间:  12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  29 ns

典型接通延迟时间:  10 ns

零件号别名:  FDD6030L_NL

单位重量:  260.370 mg