型号: FDD6680A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 55 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0086 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252AA
封装: Reel
下降时间: 13 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.8 W
上升时间: 9 ns
典型关闭延迟时间: 31 ns
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：何珩
电话：15051595517
Q Q:
联系人：戴瑞
电话：18307520622
Q Q:
联系人：金小姐
Q Q:
