型号: FDD6680A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 55 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0086 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252AA
封装: Reel
下降时间: 13 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.8 W
上升时间: 9 ns
典型关闭延迟时间: 31 ns
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：罗明敏
Q Q:
联系人：Grace
Q Q:
联系人：李先生
电话：13554802629
Q Q:
