型号: FDD6N50
功能描述: MOSFE
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Pd-功率耗散: 89 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
系列: FDD6N50
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