型号: FDD8444-F085P
功能描述: NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM
制造商: ON Semiconductor
包装: 标准卷带
系列: 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench®
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 50A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 5.2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 116nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 6195pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 153W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252,(D-Pak)
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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