FDD8447L_F085规格参数_FDD8447L_F085全国代理商/分销商

型号: FDD8447L_F085
功能描述: Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L_F085, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: Fairchild Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 50 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 14 m0hms
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型：表面贴装
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 65 W
长度： 6.73mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.39mm
宽度： 6.22mm
系列： PowerTrench
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 37 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1970 pF @ 20 V
典型关断延迟时间： 38 ns
典型接通延迟时间： 12 ns
最低工作温度： -55 °C
高度： 2.39mm
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs