型号: FDD86540
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 21.5A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 90nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6340pF @ 30V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），127W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D-PAK（TO-252）
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 30V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：任亚洲
电话：13549237550
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：王生
Q Q:
