型号: FDFME2P823ZT
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 7.7nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 405pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 10V
FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-MicroFET（1.6x1.6）
封装/外壳： 6-uFDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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