型号: FDG326P
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 467pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 750mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SC-70-6
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：詹嘉源
Q Q:
联系人：方小姐
电话：13418730030
Q Q:
联系人：翁
Q Q:
