型号: FDG6301N_F085
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 220mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4 欧姆 @ 220mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 9.5pF @ 10V
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-70-6
其它名称: FDG6301N_F085-NDFDG6301N_F085TR
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