型号: FDG6303N_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 25 V
闸/源击穿电压: 8 V
漏极连续电流: 0.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.45 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 1.45 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.3 W
上升时间: 8.5 ns
典型关闭延迟时间: 17 ns
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖圣
电话：17825673949
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：昂捷
Q Q:
联系人：尹帮虎
电话：18688941941
Q Q:
联系人：黄堂林
电话：13537570405
Q Q:
