型号: FDG6303N_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 25 V
闸/源击穿电压: 8 V
漏极连续电流: 0.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.45 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 1.45 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.3 W
上升时间: 8.5 ns
典型关闭延迟时间: 17 ns
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：许记龙
电话：13424422269
Q Q:
联系人：陈s
电话：18680355003
Q Q:
联系人：魏小凡
Q Q:
