型号: FDG6303N_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 25 V
闸/源击穿电压: 8 V
漏极连续电流: 0.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.45 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 1.45 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.3 W
上升时间: 8.5 ns
典型关闭延迟时间: 17 ns
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：林东霖
电话：13049496788
Q Q:
联系人：贺文华
电话：13066866558
Q Q:
联系人：杨德龙
电话：15817289960
Q Q:
