型号: FDG6322C_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: +/- 25 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 0.22 A, - 0.41 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 4 Ohms / 1.1 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 0.2 S, 0.9 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.3 W
上升时间: 4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
典型关闭延迟时间: 4 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
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