型号: FDG6335N_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: 0.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.3 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 2.8 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.3 W
上升时间: 7 ns
典型关闭延迟时间: 9 ns
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：赵苗
电话：15907164503
Q Q:
联系人：罗L
电话：13342900085
Q Q:
联系人：陈生
电话：13713818425
Q Q:
