型号: FDG6335N_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: 0.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.3 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 2.8 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.3 W
上升时间: 7 ns
典型关闭延迟时间: 9 ns
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：辜先生
电话：13528816759
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
联系人：洪先生
电话：13902989667
Q Q:
联系人：高优秀
电话：13695017732
Q Q:
