型号: FDG6335N_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: 0.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.3 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 2.8 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.3 W
上升时间: 7 ns
典型关闭延迟时间: 9 ns
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：宋雨
电话：15210362397
Q Q:
联系人：朱萍菲
电话：17688972605
Q Q:
联系人：林小姐
电话：15816883608
Q Q:
