型号: FDH038AN08A1_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 75 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0035 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
下降时间: 126 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 450 W
上升时间: 141 ns
典型关闭延迟时间: 232 ns
联系人：吴新
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：13528882567
Q Q:
联系人：颜伟
电话：13661569158
Q Q:
联系人：朱先生，张小姐
电话：15889748912
Q Q:
