型号: FDH038AN08A1_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 75 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0035 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
下降时间: 126 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 450 W
上升时间: 141 ns
典型关闭延迟时间: 232 ns
联系人：唐先生
电话：13113670037
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：丁
电话：13510562077
Q Q:
联系人：张生
电话：15817926388
Q Q:
联系人：刘
Q Q:
