FDH50N50_F133规格参数_FDH50N50_F133全国代理商/分销商

型号: FDH50N50_F133
功能描述: Single N-Channel 500 V 0.105 Ohm 137 nC 625 W Flange Mount Mosfet - TO-247-3
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列： UniFET™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 48A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 137nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6460pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 625W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 105 毫欧 @ 24A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 48A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs