型号: FDI047AN08A0_F085
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 75 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 15 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0047 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262
封装: Tube
下降时间: 45 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 310 W
上升时间: 88 ns
典型关闭延迟时间: 40 ns
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：李佳文
电话：18927449101
Q Q:
联系人：罗志坚
电话：13923482469
Q Q:
联系人：叶先生
电话：17091318458
Q Q:
