型号:  FDI9409-F085

功能描述:  MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-262-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

Id-连续漏极电流:  80 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  43 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  94 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  PowerTrench

封装:  Tube

高度:  7.88 mm

长度:  10.29 mm

系列:  FDI9409_F085

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.83 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  90 ns

工厂包装数量:  400

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  24 ns

典型接通延迟时间:  17 ns

零件号别名:  FDI9409_F085

单位重量:  2.084 g