型号: FDMA008P20LZ
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 39nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4383pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 13 毫欧 @ 2.5A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）
封装/外壳： 6-PowerWDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：江小姐
电话：18025419171
Q Q:
联系人：蒋生
电话：15919873119
Q Q:
联系人：钟
Q Q:
