型号:  FDMB2308PZ

功能描述:  MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  MicroFET-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  7 A

Rds On-漏源导通电阻:  36 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  22 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.2 W

配置:  Dual

商标名:  PowerTrench

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.75 mm

长度:  3 mm

系列:  FDMB2308PZ

晶体管类型:  2 P-Channel

宽度:  2 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  29 S

下降时间:  58 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  33 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  74 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

单位重量:  12 mg