型号:  FDMC012N03

功能描述:  MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  Power-33-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  35 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.23 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  78 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  64 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  Power Clip

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  3.3 mm

系列:  FDMC012N03

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  220 S

下降时间:  4.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  43 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

单位重量:  152.700 mg