型号:  FDMC7200

功能描述:  MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  Power-33-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  6 A, 8 A

Rds On-漏源导通电阻:  10 mOhms, 19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  3.1 nC, 7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.9 W, 2.2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  PowerTrench

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  3 mm

系列:  FDMC7200

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  29 S, 56 S

下降时间:  1.3 ns, 6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.1 ns, 4 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35 ns, 38 ns

典型接通延迟时间:  11 ns, 13 ns

单位重量:  186 mg