型号:  FDMD8900

功能描述:  MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PQFN-12

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  66 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  0.8 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  25 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.1 W

配置:  Dual

商标名:  PowerTrench Power Clip

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  5 mm

系列:  FDMD8900

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  2.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.3 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25 ns

典型接通延迟时间:  8.7 ns

单位重量:  82.320 mg