型号: FDME910PZT
功能描述: P-Channel 20 V 8 A 24 mOhm Power Trench® Mosfet - MicorFET
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列： PowerTrench®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 8A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 21nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2110pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 24 毫欧 @ 8A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-PoweruFDFN
封装形式Package： MicroFET
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 8A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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