型号: FDMS015N04B
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 31.3A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 118nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 8725pF @ 20V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.5 毫欧 @ 50A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）
封装/外壳： 8-PowerTDFN
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 20V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：欧忠明
电话：13927428706
Q Q:
联系人：王小姐
电话：15380434323
Q Q:
联系人：李
电话：15018509257
Q Q:
