型号:  FDMS3604S

功能描述:  MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  Power-56-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  13 A, 23 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.2 mOhms, 5.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.8 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  21 nC, 47 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.2 W, 2.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  Power Stage PowerTrench

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  6 mm

系列:  FDMS3604S

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  61 S, 130 S

下降时间:  2.2 ns, 3.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.5 ns, 4.8 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns, 31 ns

典型接通延迟时间:  8.2 ns, 13 ns

单位重量:  171 mg