型号:  FDMS5362L-F085

功能描述:  MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  Power-56-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  17.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  34 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.9 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  17 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  41.7 W

配置:  Single

资格:  AEC-Q101

商标名:  UltraFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  6 mm

系列:  FDMS5362L_F085

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  31 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

零件号别名:  FDMS5362L_F085

单位重量:  172.800 mg