型号: FDN338P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 1.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.115 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
封装: Reel
下降时间: 11 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 6 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
上升时间: 11 ns
典型关闭延迟时间: 16 ns
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：陈楚弟
电话：15914757150
Q Q:
联系人：邓磊
电话：18826952105
Q Q:
联系人：陈亮
电话：13824349364
Q Q:
