型号: FDN360P-NBGT003B
功能描述: MOSFET P-CH 30V SSOT3
制造商: ON Semiconductor
包装: 标准卷带
系列: PowerTrench®
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 80 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 9nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 298pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：林先生
电话：13723780117
Q Q:
联系人：郭诗
电话：14776865315
Q Q:
联系人：刘小媛
电话：13554955010
Q Q:
