型号:  FDN5632N-F085

功能描述:  MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SSOT-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  98 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.1 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  UltraFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.12 mm

长度:  2.9 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  FDN5632N_F085

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Power Trench MOSFET

宽度:  1.4 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  1.3 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1.7 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  5.2 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

零件号别名:  FDN5632N_F085

单位重量:  30 mg